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電容的串并聯(lián)容量公式-電容器的串并聯(lián)分壓公式
1.串聯(lián)公式：C = C1*C2/(C1 + C2)
2.并聯(lián)公式C = C1+C2+C3
補(bǔ)充部分：
串聯(lián)分壓比—— V1 = C2/(C1 + C2)*V ........電容越大分得電壓越小，交流直流條件下均如此
并聯(lián)分流比—— I1 = C1/(C1 + C2)*I ........電容越大通過的電流越大,，當(dāng)然,，這是交流條件下
一個(gè)大的電容上并聯(lián)一個(gè)小電容
大電容由于容量大，所以體積一般也比較大,，且通常使用多層卷繞的方式制作,，這就導(dǎo)致了大電容的分布電感比較大（也叫等效串聯(lián)電感，
英文簡稱ESL）,。
電感對高頻信號的阻抗是很大的,，所以，大電容的高頻性能不好,。而一些小容量電容則剛剛相反,，由于容量小，因此體積可以做得很?。s
短了引線,，就減小了ESL，因?yàn)橐欢螌?dǎo)線也可以看成是一個(gè)電感的）,，而且常使用平板電容的結(jié)構(gòu),，這樣小容量電容就有很小ESL這樣它就具有
了很好的高頻性能,，但由于容量小的緣故，對低頻信號的阻抗大,。
所以,，如果我們?yōu)榱俗尩皖l、高頻信號都可以很好的通過,，就采用一個(gè)大電容再并上一個(gè)小電容的方式,。
常使用的小電容為 0.1uF的CBB電容較好(瓷片電容也行)，當(dāng)頻率更高時(shí),，還可并聯(lián)更小的電容,，例如幾pF，幾百pF的,。而在數(shù)字電路中,，一
般要給每個(gè)芯片的電源引腳上并聯(lián)一個(gè)0.1uF的電容到地（這個(gè)電容叫做退耦電容，當(dāng)然也可以理解為電源濾波電容,越靠近芯片越好）,，因?yàn)?br>
在這些地方的信號主要是高頻信號,，使用較小的電容濾波就可以了。
理想的電容,，其阻抗隨頻率升高而變?。≧＝1/jwc）, 但理想的電容是不存在的，由于電容引腳的分布電感效應(yīng),， 在高頻段電容不再是一個(gè)
單純的電容,，更應(yīng)該把它看成一個(gè)電容和電感的串聯(lián)高頻等效電路，當(dāng)頻率高于其諧振頻率時(shí),， 阻抗表現(xiàn)出隨頻率升高而升高的特性,，就是
電感特性，這時(shí)電容就好比一個(gè)電感了,。相反電感也有同樣的特性,。
大電容并聯(lián)小電容在電源濾波中非常廣泛的用到，根本原因就在于電容的自諧振特性,。大小電容搭配可以很好的抑制低頻到高頻的電源干擾信
號，小電容濾高頻（自諧振頻率高）,，大電容濾低頻（自諧振頻率低）,，兩者互為補(bǔ)充。
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