半導(dǎo)體薄片置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為 B 的磁場(chǎng)中,，磁場(chǎng)方向垂直于薄片,，如圖所示。當(dāng)有電流 I 流過(guò)薄片時(shí),，在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上將產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì) EH ,，這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)，該電動(dòng)勢(shì)稱為霍爾電勢(shì),，上述半導(dǎo)體薄片稱為霍爾元件,。

　　 原理簡(jiǎn)述如下：激勵(lì)電流 I 從 a 、 b 端流入,，磁場(chǎng) B 由正上方作用于薄片,，這時(shí)電子 e 的運(yùn)動(dòng)方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力 FL 的作用,，向內(nèi)側(cè)偏移,，該側(cè)形成電子的堆積，從而在薄片的 c ,、 d 方向產(chǎn)生電場(chǎng) E ,。電子積累得越多,， FE 也越大，在半導(dǎo)體薄片 c ,、 d 方向的端面之間建立的電動(dòng)勢(shì) EH 就是霍爾電勢(shì),。

　　 由實(shí)驗(yàn)可知，流入激勵(lì)電流端的電流 I 越大,、作用在薄片上的磁場(chǎng)強(qiáng)度 B 越強(qiáng),，霍爾電勢(shì)也就越高。磁場(chǎng)方向相反,，霍爾電勢(shì)的方向也隨之改變,，因此霍爾傳感器能用于測(cè)量靜態(tài)磁場(chǎng)或交變磁場(chǎng)。